RN1108FSTPL3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
RN1108FSTPL3 datasheet
-
МаркировкаRN1108FSTPL3
-
ПроизводительTOSHIBA Semiconductor
-
ОписаниеTOSHIBA Semiconductor RN1108FSTPL3 Current - Collector (ic) (max): 50mA Current - Collector Cutoff (max): 500nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-fSM Power - Max: 50mW Resistor - Base (r1) (ohms): 22K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 47K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250?µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 20V
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
04.06.2024
03.06.2024
03.06.2024